Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | MPSA18RLRPG | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA18RLRP | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA18G | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA18RLRM | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA18 | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA18RLRMG | ON Semiconductor | TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | MPSA18RLRAG | ON Semiconductor | TRANS NPN SS 45V LN TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |