MPSA18RLRPG | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPSA18RLRA	ON Semiconductor	TRANS NPN SS 45V LN TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA18RLRP	ON Semiconductor	TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA18G	ON Semiconductor	TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA18RLRM	ON Semiconductor	TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA18	ON Semiconductor	TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA18RLRMG	ON Semiconductor	TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA18RLRAG	ON Semiconductor	TRANS NPN SS 45V LN TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

MPSA18RLRP

ON Semiconductor

TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA18RLRM

ON Semiconductor

TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Доп. информация
Искать в поставщиках

MPSA18RLRMG

ON Semiconductor

TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

MPSA18RLRPG — TRANS NPN GP BIPO LN 45V TO-92

Аналогичные по характеристикам