MPSA63RLRA | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPSA63ZL1	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA63G	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA63	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA63RLRPG	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA63ZL1G	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA63RLRMG	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPSA64RLRM	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA64RLRAG	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA64	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL SS 30V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSW63RLRAG	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 1W 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA64RLRMG	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA64RLRA	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSW63RLRA	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL BIPO 1W 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSA64G	ON Semiconductor	TRANS PNP DARL SS 30V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

MPSA63RLRA — TRANS PNP DARL SS 30V TO92

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам