Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | MPSA64 | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL SS 30V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA64RLRM | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA64RLRAG | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA64RLRA | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA64RLRMG | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | KSP64TA | Fairchild Semiconductor | TRANS DARL PNP 30V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | MPSA14RLRA | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL SS 30V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA63G | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA63RLRPG | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA63ZL1G | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA63RLRMG | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA14RLRP | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA63ZL1 | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA14 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | KSP64BU | Fairchild Semiconductor | TRANS DARL PNP 30V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | MPSA63 | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA63RLRA | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL SS 30V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: PNP - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
![]() | MPSA14G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
![]() | MPSA14RLRPG | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL BIPO 30V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 125MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |