Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель	ON Semiconductor
Вредные вещества	Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	260V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	3V @ 1A, 10A
Ток коллектора (макс)	15A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	75 @ 500mA, 5V
Мощность макcимальная	200Вт
Модуляция частот	30MHz
Тип транзистора	PNP
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-264-5
Встречается под наим.	NJL1302DOS

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NJL1302DG	ON Semiconductor	TRANS BIPO PNP 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 30MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264-5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NJL3281D	ON Semiconductor	TRANS BIPO NPN 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 30MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264-5		Доп. информация Искать в поставщиках
	NJL3281DG	ON Semiconductor	TRANS BIPO NPN 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 30MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264-5	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов