Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NJL3281DG | ON Semiconductor | TRANS BIPO NPN 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 30MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264-5 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NJL1302D | ON Semiconductor | TRANS BIPO PNP 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 30MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264-5 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NJL1302DG | ON Semiconductor | TRANS BIPO PNP 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 200Вт · Модуляция частот: 30MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264-5 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |