Войти Регистрация

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

P2N2907ARL1G

P2N2907ARL1G — TRANS SS PNP 600MA 60V TO-92

Производитель	ON Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца
Обратите внимание	Снят с производства - 01 окт 2008

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	60V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 15mA, 150mA
Ток коллектора (макс)	600mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)	10nA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 10V
Мощность макcимальная	625mW
Модуляция частот	200MHz
Тип транзистора	PNP
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Аналогичные по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	P2N2907AG	ON Semiconductor	TRANS SS PNP 600MA 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	P2N2907AZL1G	ON Semiconductor	TRANS SS PNP 600MA 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	P2N2907AZL1	ON Semiconductor	TRANS SS PNP 600MA 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	P2N2907ARL1	ON Semiconductor	TRANS SS PNP 600MA 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	P2N2907A	ON Semiconductor	TRANS SS PNP 600MA 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PN2907ARLRA	ON Semiconductor	TRANS SS GP PNP 600MA 60V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	PN2907ARLRAG	ON Semiconductor	TRANS GP SS PNP 600MA 60V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	PN2907AG	ON Semiconductor	TRANS GP PNP 600MA 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте