TIP29CG | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TIP29C	ON Semiconductor	TRANS NPN 1A 100V HI PWR TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TIP30CG	ON Semiconductor	TRANS PNP 1A 100V HI PWR TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP29BG	ON Semiconductor	TRANS NPN 1A 80V HI PWR TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP29C-BP	Micro Commercial Co	TRANS NPN 1A 100V TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP29AG	ON Semiconductor	TRANS PWR NPN 1A 60V TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP30C	ON Semiconductor	TRANS PNP 1A 100V HI PWR TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках
	TIP29B	ON Semiconductor	TRANS NPN 1A 80V HI PWR TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 30Вт · Модуляция частот: 3MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

TIP29CG — TRANS NPN 1A 100V HI PWR TO220AB

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам