Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

APT1003RKFLLG — MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS 7®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 694pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 139W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-220
Архив документации

   


Поставщики «APT1003RKFLLG»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!APT1003RKFLLG
yпаковка: TO220; год: 22+
APT 45000
АО "Контест"APT1003RKFLLG
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 Подробнее
Microsemi Power Products Group


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedШэньчжэнь(86) 18938853596, Факс: (0755) 825698150  0 Скрыть
АО "Контест"Москва(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-736  27 Скрыть
Воронеж(473) 239-22-32
«APT1003RKFLLG» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 777 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать