Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/nxp/188.gif) Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA • Ток коллектора (макс): 1A • Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V • Мощность макcимальная: 830mW • Модуляция частот: 200MHz • Тип транзистора: NPN - Darlington • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 • Встречается под наим.: BC875 AMO, BC875 AMO-ND |