Характеристики | Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Mold Compound Change 12 dec 2007 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V • Мощность макcимальная: 350mW • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |