Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 800mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  •  Мощность макcимальная: 330mW  •  Модуляция частот: 170MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23  •  Встречается под наим.: BCW66GE6327XT, SP000010496