Подробная информация
0
0
0
Поставщики
Каталог
Документация
Аналоги
Объявления
еще
Войти
Регистрация
еще
Новости индустрии
Контакты
Точное совпадение
Только в наличии
Только c ценами
Классический дизайн
Документация
Характеристики
HAT2160N-EL-E
— MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: Renesas Technology America
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 30A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @ 10V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Mounting Type: Surface Mount
•
Package / Case: LFPAK-i
Поставщики «HAT2160N-EL-E»
Все
Отечественные
Зарубежные
Поставщик
Наименование
Производитель
Цена
Склад
ООО "Интегральные схемы"
HAT2160N-EL-E
от 7 дней
ООО "АН-ЧИП"
HAT2160N-EL-E
микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
Renesas Electronics America
37561
ООО "АСПЕКТ"
HAT2160N-EL-E
от 7 дней
Контактная информация
Компания
Офис
Телефоны
E-mail
Отзывы
ООО "АН-ЧИП"
Санкт-Петербург
(812) 922-25-39
0
0
Скрыть
ООО "АСПЕКТ"
Санкт-Петербург
(812) 309-89-32
0
0
Скрыть
ООО "Интегральные схемы"
Санкт-Петербург
(812) 448-53-82
0
0
Скрыть
«HAT2160N-EL-E» в
eFind
,
eInfo
,
Google
,
Яндекс
,
Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 777 зарубежных
Помощь
Настройки дизайна
Скрытые поставщики
Реклама на сайте
Разместить прайс-лист
Контакты
Распечатать