Характеристики | Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Mold Compound Change 12 dec 2007 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA • Ток коллектора (макс): 800mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V • Мощность макcимальная: 350mW • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |