Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 500mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 625mW  •  Модуляция частот: 125MHz  •  Тип транзистора: PNP - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  •  Встречается под наим.: MPSA63RLRAOSCT