Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

NE6510179A-T1-A — HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A

Производитель: NEC  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: HFET  •  Частота: 1.9GHz  •  Усиление: 10dB  •  Номинальное напряжение: 8V  •  Номинал тока: 2.8A  •  Ток - тестовый: 200mA  •  Напряжение - тестовое: 3.5V  •  P1dB: 32.5dBm  •  Корпус: 79A
Архив документации

   


Поставщики «NE6510179A-T1-A»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АСПЕКТ"NE6510179A-T1-A от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"NE6510179A-T1-A от 7 дней
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDNE6510179A-T1-A
RF JFET Transistors LS Band GaAs HJFET Подробнее		CEL10.2638$8765
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NE6510179A-T1-A
yпаковка: 4-SMD,Flat Leads; год: 22+		CEL 55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!NE6510179A-T1-A
FET RF 8V 1.9GHZ 79A Подробнее		CEL 128203


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDHongKong(852) 8191 18020  0 Скрыть
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicHong Kong(86) 135123388010  0 Скрыть
SHENZHEN(86) 0755-82535750
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedШэньчжэнь(86) 18938853596, Факс: (0755) 825698150  0 Скрыть
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«NE6510179A-T1-A» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2172 отечественных и 776 зарубежных
 Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
 Распечатать