Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

NE6510179A-T1-A — HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A

Производитель: NEC  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: HFET  •  Частота: 1.9GHz  •  Усиление: 10dB  •  Номинальное напряжение: 8V  •  Номинал тока: 2.8A  •  Ток - тестовый: 200mA  •  Напряжение - тестовое: 3.5V  •  P1dB: 32.5dBm  •  Корпус: 79A
Архив документации

   


Производители
Города
    Версия для печати
    Страница с результатами, оптимизированная для печати.
    Бросить клич!
    Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

    Поставщики «NE6510179A-T1-A»

    ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
    АО "Контест"NE6510179A-T1-A
    Подробнее    		NEC ELECTRONICS
    ООО "Интегральные схемы"NE6510179A-T1-A от 7 дней
    ООО "АСПЕКТ"NE6510179A-T1-A от 7 дней


    Контактная информация

    КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
    BETTLINK ELECTRONIC LIMITED0  0 Скрыть
    Digi-ic_SMART PIONEER Electronic0  0 Скрыть
    HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited0  0 Скрыть
    АО "Контест"Москва(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-736  27 Скрыть
    Воронеж(473) 239-22-32
    ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
    ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
    «NE6510179A-T1-A» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
    Поставщиков: 2172 отечественных и 776 зарубежных
    		 Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
    Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
    		 Распечатать