Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 25mA, 250mA  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 830mW  •  Модуляция частот: 100MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  •  Встречается под наим.: PBSS9110S AMO, PBSS9110S AMO-ND