Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 50mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 800мВт  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226