Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A  •  Ток коллектора (макс): 5A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V  •  Мощность макcимальная: 1Вт  •  Модуляция частот: 120MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: 2-7B1A