Характеристики

APTM100DA18TG — MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 372nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10400pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 780W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SP4 Module
Архив документации

Поставщики «APTM100DA18TG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APTM100DA18TG (Подробнее)Microchip Technology124.01$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
APTM100DA18TG (Оригинальный и наличный и новый)MICROCHIP9853
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
APTM100DA18TG (MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 Подробнее)Microchip Technology156249
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APTM100DA18TGот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APTM100DA18TGот 7 дней