Производитель: ON Semiconductor  •  Обратите внимание: LTB Notification 08 jan 2008  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 1.5Вт  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226