Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V  •  Мощность макcимальная: 650мВт  •  Модуляция частот: 145MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA  •  Встречается под наим.: BCP51 T/R, BCP51 T/R-ND