Характеристики | Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 47K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 70mA • Модуляция частот: 150MHz • Мощность макcимальная: 250mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: TSLP-3-4 • Встречается под наим.: BCR149L3E6327XT, SP000014862 |