Характеристики

BSP300 E6327 — MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Производитель: Infineon Technologies  •  Серия: SIPMOS®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 800V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.8W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA  •  Встречается под наим.: BSP300E6327T, SP000011111
Архив документации

Поставщики «BSP300 E6327»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
BSP300 E6327 (MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4 Подробнее)Infineon Technologies160227
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BSP300 E6327 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)7965
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
BSP300 E6327от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
BSP300 E6327от 7 дней