Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 400mA  •  Ток коллектора (макс): 2A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 50Вт  •  Модуляция частот: 13MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)