Производитель: Diodes Inc  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 470  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Мощность макcимальная: 200mW  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  •  Встречается под наим.: DDTC142JUDITR