Производитель: Diodes Inc  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Wire Change 23 may 2008  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 28V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 305pF @ 5V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.25W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Встречается под наим.: DMN3150LDITR