Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

FDS2070N3 — MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Mold Compound Change 30 jan 2008  •  Серия: PowerTrench®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 4.1A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 150V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1884pF @ 75V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.8W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC  •  Встречается под наим.: FDS2070N3CT, FDS2070N3_NLCT, FDS2070N3_NLCT-ND
Архив документации

   


Производители
Города
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «FDS2070N3»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!FDS2070N3Fairchild Semiconductor 7341
ООО "АСПЕКТ"FDS2070N3 от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FDS2070N3 от 7 дней


«FDS2070N3» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2169 отечественных и 777 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать