Характеристики | Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Снят с производства - 09 sept 2008 • Серия: QFET™ • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 120W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: TO-3P-3 (Straight Leads) |