Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

FQB2N30TM — MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 300V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 3.13W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Архив документации

   


Поставщики «FQB2N30TM»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АСПЕКТ"FQB2N30TM от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FQB2N30TM от 7 дней
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FQB2N30TM
MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK Подробнее
onsemi 159773
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFQB2N30TM
Подробнее
onsemi 35000


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicHong Kong(86) 135123388010  0 Скрыть
SHENZHEN(86) 0755-82535750
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSHENZHEN(86) 152200899930  0 Скрыть
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«FQB2N30TM» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 776 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать