Характеристики

FQD11P06TM — MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Lead Dimension Change 23 jan 2007  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 4.7A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации

Поставщики «FQD11P06TM»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Стандарт СИЗСвежие данные!FQD11P06TM (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)––Да
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDFQD11P06TM (год: 21+)ON–3578
Icseek Global LimitedFQD11P06TM (Оригинальный и наличный и новый)FSC–5100
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITEDСвежие данные!FQD11P06TM (yпаковка: D-PAK)ON–6126
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!FQD11P06TM (In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 9.4 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FQD11P06TM Подробнее)ON Semiconductor0.981$25183
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFQD11P06TM (Подробнее)onsemi1.19$35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!FQD11P06TM (yпаковка: TO252; год: 22+)FAIRCHILD/–55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FQD11P06TM (MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Подробнее)onsemi–132010
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.FQD11P06TM (22+; год: 58631)FAIRCHILD252$–
Дельта ЭлектроникаFQD11P06TM, МОП-транзистор, P Канал, -9.4 А, -60 В, 0.15 Ом, -10 В, -4 В–437.5 р.6-8 недель
ООО "Интегральные схемы"FQD11P06TM––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"FQD11P06TM––от 7 дней
Turshehing Electronic Technology（HK）LimitedFQD11P06TM SAMSUNG ––