Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

FQD11P06TM — MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Lead Dimension Change 23 jan 2007  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 4.7A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации

   


Производители
Города
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «FQD11P06TM»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"FQD11P06TM от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"FQD11P06TM от 7 дней
Дельта ЭлектроникаFQD11P06TM, МОП-транзистор, P Канал, -9.4 А, -60 В, 0.15 Ом, -10 В, -4 В437.5 р.6-8 недель
Стандарт СИЗСвежие данные!FQD11P06TM
Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.
Да


«FQD11P06TM» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2172 отечественных и 776 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать