Характеристики

FQD2N60CTF_F080 — MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации

Поставщики «FQD2N60CTFF080»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
FQD2N60CTF_F080 (Подробнее)onsemi35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
FQD2N60CTF_F080 (MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Подробнее)ON Semiconductor12.6597$21826
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
FQD2N60CTF_F080 (Оригинальный и наличный и новый)ON5100
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
FQD2N60CTF_F080 (MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Подробнее)onsemi162312