Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

FQU2N60CTU — MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Lead Dimension Change 23 jan 2007  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Архив документации

   


Наименования
Производители
Города
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «FQU2N60CTU»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
Стандарт СИЗСвежие данные!FQU2N60CTU
Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.
Murata Да
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!FQU2N60CTUFairchild Semiconductor 1594
ООО "АСПЕКТ"FQU2N60CTU_NL от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"FQU2N60CTU от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FQU2N60CTU_NL от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FQU2N60CTU от 7 дней


«FQU2N60CTU» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 776 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать