Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: SIPMOS®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 33A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 175W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-220-3  •  Встречается под наим.: SP000225707