Подробная информация
0
0
0
Поставщики
Каталог
Документация
Аналоги
Объявления
еще
Войти
Регистрация
еще
Новости индустрии
Контакты
Точное совпадение
Только в наличии
Только c ценами
Классический дизайн
Документация
Характеристики
IXFN30N110P
— MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: IXYS
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: Polar™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 15A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV)
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13600pF @ 25V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Power - Max: 695W
•
Mounting Type: Chassis Mount
•
Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Производители
IXYS
Littelfuse
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!
Поставщики «IXFN30N110P»
Все
Отечественные
Зарубежные
Поставщик
Наименование
Производитель
Цена
Склад
ООО "Интегральные схемы"
IXFN30N110P
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IXFN30N110P
от 7 дней
Контактная информация
Компания
Офис
Телефоны
E-mail
Отзывы
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
0
0
Скрыть
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
0
0
Скрыть
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
0
0
Скрыть
Icseek Global Limited
0
0
Скрыть
ООО "АСПЕКТ"
Санкт-Петербург
(812) 309-89-32
0
0
Скрыть
ООО "Интегральные схемы"
Санкт-Петербург
(812) 448-53-82
0
0
Скрыть
«IXFN30N110P» в
eFind
,
eInfo
,
Google
,
Яндекс
,
Datasheet Archive
Поставщиков: 2172 отечественных и 777 зарубежных
Помощь
Настройки дизайна
Скрытые поставщики
Реклама на сайте
Разместить прайс-лист
Контакты
Распечатать