Характеристики
IXFX260N17T
— MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: IXYS
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: GigaMOS™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 60A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 170V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24000pF @ 25V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Power - Max: 1670W
•
Mounting Type: Through Hole
•
Package / Case: PLUS 247
Архив документации
DS100136(IXFK-FX260N17T).pdf
на сайте ixys.com
Поставщики «IXFX260N17T»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Международная электронная торговая компания «ФУЧЕН»
USB 2.0 AF DIP 90 SIDE TYPE (1-1734775-1, 614004134726)
Фучен
13.85 р.
Да
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
IXFX260N17T
(
Подробнее
)
Littelfuse
–
35000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IXFX260N17T
(MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247-3
Подробнее
)
IXYS
–
162911
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IXFX260N17T
(yпаковка: MAX247; год: 22+)
IXYS
–
55000
ООО "МК"
IXFX40N90P (MOSFET N-Ch 900V 40A 210mOhm) (б/г)
(ixfx260n17t - б/уп >для заказа или запроса нажмите на>
Подробнее
)
IXYS
766 р. | м. опт: 728 р. | опт: 690 р.
24
ООО "МК"
IXFX180N15P (MOSFET N-CH 150V 180A) (б/г)
(ixfx260n17t - б/уп >для заказа или запроса нажмите на>
Подробнее
)
IXYS
666 р. | м. опт: 633 р. | опт: 600 р.
57
ООО "АН-ЧИП"
IXFX260N17T
(микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
IXYS
–
30349
ООО "Интегральные схемы"
IXFX260N17T
–
–
от 7 дней
ООО "МК"
IXFN110N60P3 (N-переход)
(ixfx260n17t - >для заказа или запроса нажмите на>
Подробнее
)
–
–
43
ООО "МК"
IXFX40N90P
(ixfx260n17t - >для заказа или запроса нажмите на>
Подробнее
)
–
1.8 р. | м. опт: 1.7 р. | опт: 1.5 р.
50
ООО "АСПЕКТ"
IXFX260N17T
–
–
от 7 дней