Подробная информация
0
0
0
Поставщики
Каталог
Документация
Аналоги
Объявления
еще
Войти
Регистрация
еще
Новости индустрии
Контакты
Точное совпадение
Только в наличии
Только c ценами
Классический дизайн
Документация
Характеристики
IXTA2N100P
— MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: IXYS
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: Polar™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.3nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 655pF @ 25V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Power - Max: 86W
•
Mounting Type: Surface Mount
•
Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Наименования
IXTA2N100P
IXTA2N100P-TRL
Производители
IXYS
Littelfuse
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!
Поставщики «IXTA2N100P»
Все
Отечественные
Зарубежные
Поставщик
Наименование
Производитель
Цена
Склад
ООО "АН-ЧИП"
IXTA2N100P
микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
IXYS
29592
ООО "АСПЕКТ"
IXTA2N100P
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IXTA2N100P
от 7 дней
Контактная информация
Компания
Офис
Телефоны
E-mail
Отзывы
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
0
0
Скрыть
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
0
0
Скрыть
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
0
0
Скрыть
Icseek Global Limited
0
0
Скрыть
ООО "АН-ЧИП"
Санкт-Петербург
(812) 922-25-39
0
0
Скрыть
ООО "АСПЕКТ"
Санкт-Петербург
(812) 309-89-32
0
0
Скрыть
ООО "Интегральные схемы"
Санкт-Петербург
(812) 448-53-82
0
0
Скрыть
«IXTA2N100P» в
eFind
,
eInfo
,
Google
,
Яндекс
,
Datasheet Archive
Поставщиков: 2172 отечественных и 777 зарубежных
Помощь
Настройки дизайна
Скрытые поставщики
Реклама на сайте
Разместить прайс-лист
Контакты
Распечатать