Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/3dmodels/252.gif) Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Fe Wire Change 12 oct 2007 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA • Ток коллектора (макс): 500mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V • Мощность макcимальная: 625mW • Модуляция частот: 150MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |