Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/on/175.gif) Производитель: ON Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A • Ток коллектора (макс): 2A • Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V • Мощность макcимальная: 20Вт • Модуляция частот: 25MHz • Тип транзистора: PNP - Darlington • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 • Встречается под наим.: MJD117G-ND, MJD117GOS |