Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A  •  Ток коллектора (макс): 3A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V  •  Мощность макcимальная: 15Вт  •  Модуляция частот: 3MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63  •  Встречается под наим.: MJD32CG-ND, MJD32CGOS