Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/diodes/6109.gif) Производитель: Diodes Inc • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA • Ток коллектора (макс): 200mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V • Мощность макcимальная: 300mW • Модуляция частот: 250MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 • Встречается под наим.: IMBT3906, IMBT3906DITR, MMBT3906DITR, MMBT3906TR, MMBT3906TR-ND |