Производитель: ON Semiconductor  •  Обратите внимание: Wire Change 08 may 2007  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  •  Ток коллектора (макс): 600mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  •  Мощность макcимальная: 225mW  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3