Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/on/6071.gif) Производитель: ON Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Possible Adhesion Issue 11 july 2008 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA • Ток коллектора (макс): 300mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V • Мощность макcимальная: 225mW • Модуляция частот: 125MHz • Тип транзистора: NPN - Darlington • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 • Встречается под наим.: MMBTA14LT1GOSCT |