Характеристики | Производитель: ON Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Wire Change 08 may 2007 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA • Ток коллектора (макс): 500mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V • Мощность макcимальная: 225mW • Модуляция частот: 50MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 • Встречается под наим.: MMBTA55LT1GOSDKR |