Производитель: Diodes Inc  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  •  Ток коллектора (макс): 600mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  •  Мощность макcимальная: 200mW  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  •  Встречается под наим.: MMST2907ADITR, MMST2907ATR, MMST2907ATR-ND