Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/on/6071.gif) Производитель: ON Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Wire Change 14 oct 2008 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 2.2K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 470 • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA • Мощность макcимальная: 400мВт • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 • Встречается под наим.: MMUN2231LT1GOSDKR |