Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/on/165.gif) Производитель: ON Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A • Ток коллектора (макс): 1A • Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V • Мощность макcимальная: 1Вт • Модуляция частот: 1GHz • Тип транзистора: NPN - Darlington • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226 |