Характеристики | Производитель: ON Semiconductor • Обратите внимание: LTB Notification 08 jan 2008 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA • Ток коллектора (макс): 500mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 10mA, 5V • Мощность макcимальная: 625mW • Модуляция частот: 125MHz • Тип транзистора: NPN - Darlington • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 • Встречается под наим.: MPSA13RLRAOSTR |